Radiation-detecting structures and fabrication methods thereof

Structures de détection de rayonnement et procédés pour les fabriquer

Abstract

La présente invention concerne des structures de détection de rayonnement et des procédés pour les fabriquer. Les procédés comprennent, par exemple : l'obtention d'un substrat, le substrat comprenant au moins une tranchée s'étendant dans le substrat à partir d'une surface supérieure de celui-ci ; et la formation épitaxiale d'une couche de matériau semi-conducteur sensible aux rayonnements sur une ou plusieurs parois latérales de la tranchée ou des tranchées du substrat, la couche de matériau semi-conducteur sensible aux rayonnements générant des porteurs de charge en réponse à un rayonnement incident. Dans un mode de réalisation, les parois latérales de la tranchée ou des tranchées du substrat comprennent une surface (111) du substrat, ce qui facilite la formation épitaxiale de la couche de matériau semi-conducteur sensible aux rayonnements. Dans un autre mode de réalisation, la couche de matériau semi-conducteur sensible aux rayonnement comprend du nitrure de bore hexagonal et la formation épitaxiale comprend la fourniture du nitrure de bore hexagonal avec un axe a aligné parallèlement aux parois latérales de la tranchée.
Radiation detecting-structures and fabrications methods thereof are presented. The methods include, for instance: providing a substrate, the substrate including at least one trench extending into the substrate from an upper surface thereof; and epitaxially forming a radiation-responsive semiconductor material layer from one or more sidewalls of the at least one trench of the substrate, the radiation-responsive semiconductor material layer responding to incident radiation by generating charge carriers therein. In one embodiment, the sidewalls of the at least one trench of the substrate include a (111) surface of the substrate, which facilitates epitaxially forming the radiation-responsive semiconductor material layer. In another embodiment, the radiation-responsive semiconductor material layer includes hexagonal boron nitride, and the epitaxially forming includes providing the hexagonal boron nitride with an a-axis aligned parallel to the sidewalls of the trench.

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Patent Citations (3)

    Publication numberPublication dateAssigneeTitle
    US-7095006-B2August 22, 2006International Business Machines CorporationPhotodetector with hetero-structure using lateral growth
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NO-Patent Citations (1)

    Title
    MAJETY ET AL.: "Metal- semiconductor -metal neutron detectors based on hexagonal boron nitride epitaxial layers.", PROC. OF SPIE, vol. 8507, 24 October 2012 (2012-10-24), Retrieved from the Internet

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